Department of Electrical Engineering – National Institute of Technology, Nara College

關研究室

傾斜ミストを作り出す次世代ミスト成膜技術に関する研究

本研究の特徴
  • 単一の成膜工程中に金属成分の組成を制御して、傾斜機能膜を創生する研究を行っています。
  • In-Sn-V-O系傾斜機能膜の場合、透明性・導電性・高仕事関数の鼎立が実現出来ます。

有機EL素子(OLED)の透明陽極として、スズ添加酸化インジウム(ITO)が用いられています。ITOの仕事関数φは4.6Vで、隣接する正孔注入層(φ=5.2eV)の界面にo.6eV程度のエネルギー障壁が発生します。ITO上に酸化バナジウム(VOx, φ≧5.2eV)を積層させれば高仕事関数化は可能ですが、肝心な導電性と透明性が損なわれる欠点がありました。そこで、次世代ミスト製膜技術によりIn-Sn-V-O系傾斜機能膜(IVO/ITVO/ITO/glass)を創成し、抵抗率ρ=2.1×10-4Ω・cm,φ=5.3eV,可視光透過率T=81%の膜特性を実現しました。

In-Sn-V-O系傾斜機能膜のポテンシャルエネルギー図

KEYWORDS

ミスト成膜法,透明導電膜,傾斜機能膜

詳細は、 本校研究シーズ集をご覧ください。

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